Số sản phẩm của nhà sản xuất:
TSM60N900CI C0G
Product Overview
Nhà sản xuất:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Số hiệu phần:
TSM60N900CI C0G-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220AB
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Hàng tồn kho:
12894521
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
TSM60N900CI C0G Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Taiwan Semiconductor
Đóng gói
Tube
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
4.5A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
480 pF @ 100 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
50W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
ITO-220AB
Gói / Trường hợp
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Số sản phẩm cơ sở
TSM60
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
TSM60N900CIC0G
TSM60N900CI C0G-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
IRFIB6N60APBF
NHÀ SẢN XUẤT
Vishay Siliconix
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
900
DiGi SỐ PHẦN
IRFIB6N60APBF-DG
ĐƠN GIÁ
1.71
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
IRFIBC40GLCPBF
NHÀ SẢN XUẤT
Vishay Siliconix
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
0
DiGi SỐ PHẦN
IRFIBC40GLCPBF-DG
ĐƠN GIÁ
2.10
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
TSM2303CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23
DMT3009LFVWQ-13
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
DMTH10H010SCT
MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
